Q1：SiC封装技术如何解决高温高压下的可靠性挑战？
A：SiC封装技术通过采用高温烧结银（Ag）贴片和陶瓷基板（如AlN或Si3N4），显著提升热循环与功率循环寿命。中科芯火的SiC封装方案在175℃结温下仍能保持低热阻，适合电动汽车逆变器等严苛应用。
Q2：GaN功率器件封装在快充应用中面临哪些主要热管理瓶颈？
A：GaN功率器件封装需应对高频开关带来的局部热点问题。目前主流方案是采用嵌入式PCB或直接覆铜（DBC）基板，配合低热阻导热胶，将结温控制在150℃以下，确保快充模块长期稳定运行。
Q3：SiC封装技术与传统硅基封装在工艺上有什么关键差异？
A：核心差异在于SiC封装技术需承受更高工作电压（≥1200V）和更高结温（≥200℃）。因此必须使用无铅高温焊料或银烧结，同时优化键合线布局以减少寄生电感，避免开关瞬态过压击穿。
Q4：GaN功率器件封装中，如何抑制高频寄生参数对效率的影响？
A：GaN功率器件封装应优先采用开尔文源极连接和铜夹片互联技术，将源极电感降至0.5nH以下。此外，将去耦电容紧贴封装引脚放置，可有效抑制振铃，提升系统效率至98%以上。
Q5：中科芯火在SiC和GaN封装领域有哪些差异化技术？
A：中科芯火针对SiC封装技术开发了双面散热结构，热阻较传统方案降低30%；在GaN功率器件封装方面，其无键合线工艺支持200W级功率输出，特别适合高频DC-DC转换器与车载充电机。