Q1：SiC封装技术在高温应用中如何解决热管理难题？
A：SiC封装技术需应对器件结温超200℃的挑战，关键在于采用低热阻基板（如AMB氮化硅陶瓷）和烧结银工艺。相比传统焊料，烧结银导热系数高3倍以上，可显著降低热阻。中科芯火的SiC封装方案已验证在175℃下长期稳定运行。
Q2：GaN功率器件封装为何必须优化寄生参数？
A：GaN功率器件封装在高频开关时，寄生电感会引发电压过冲和振铃，导致效率下降甚至击穿。通过采用铜夹片互联和芯片倒装结构，可将回路电感降至1nH以下，这是发挥GaN高频优势的前提。
Q3：SiC封装技术对模块可靠性有哪些关键要求？
A：SiC封装技术需应对高电场和热循环应力，要求绝缘材料（如陶瓷覆铜板）具备高介电强度，且互连层需匹配热膨胀系数。推荐采用活性金属钎焊工艺，其抗温度冲击寿命比DBC提升5倍以上。
Q4：GaN功率器件封装如何兼顾散热与小型化？
A：GaN功率器件封装通常采用嵌入式PCB或直接覆铜陶瓷基板，通过优化芯片布局和热通孔设计实现双面散热。例如，中科芯火的GaN封装方案在QFN封装内集成散热块，热阻低至0.5℃/W，同时保持封装尺寸小于5×5mm。
Q5：如何评估SiC与GaN封装技术的工艺差异？
A：SiC封装技术侧重高温烧结与厚铜互联，而GaN功率器件封装更关注超低寄生电感和高频兼容性。前者需匹配银烧结和耐高温塑封料，后者则依赖铜夹片与气密封装，工艺选择需根据应用场景（如电动汽车或5G基站）权衡。