Q1：SiC封装技术如何解决高温可靠性挑战？
A：SiC封装技术通过采用银烧结、高温模塑化合物及陶瓷基板，有效应对200°C以上的结温需求。银烧结层替代传统焊料，降低热阻并提升抗热疲劳能力。中科芯火在该领域已推出适配SiC模块的封装方案。
Q2：GaN功率器件封装中如何抑制寄生参数？
A：GaN功率器件封装需重点优化键合线长度和布局，采用铜夹片或嵌入式PCB技术将寄生电感降至1nH以下。同时，低介电常数模塑料可减少高频开关下的振荡损耗。
Q3：SiC封装技术与传统硅封装的核心差异是什么？
A：SiC封装技术强调高温耐受性和低热阻，需选用耐高温介质及厚铜布线。相比硅封装，其热膨胀系数匹配要求更严，且需避免银迁移问题。中科芯火通过活性金属钎焊基板优化了界面应力。
Q4：GaN功率器件封装对散热结构有何特殊要求？
A：GaN功率器件封装需集成双面散热或嵌入式微通道冷却，因GaN沟道热流密度可达硅器件的3倍。顶部散热路径采用金刚石或纳米银烧结层，底部通过DBC基板快速导出热量。
Q5：如何评估SiC封装技术的可靠性测试标准？
A：SiC封装技术需通过高温反偏（HTRB）及温度循环（TST）测试，标准严于硅器件。GaN功率器件封装则额外考核功率循环（PCsec）和湿度敏感度（MSL），以验证界面层在开关瞬态下的稳定性。