晶圆级封装（WLP）是在整片晶圆上完成封装工艺，再切割成单个封装体的技术。相比传统单芯片封装，WLP省去了贴片和引线键合，成本更低、尺寸更小、寄生参数更少。
WLP两大技术路线
Fan-in WLP（扇入型）：
- 封装尺寸等于芯片尺寸
- I/O数受限（焊盘只能布在芯片面积内）
- 典型应用：手机射频芯片、传感器
- 工艺：RDL重布线 + 锡球制备 + 切割
Fan-out WLP（扇出型）：
- 封装尺寸大于芯片尺寸
- I/O数可以超过芯片焊盘数（扇出）
- 典型应用：手机AP/Modem、电源管理芯片
- 工艺：晶圆重构 → 塑封 → RDL → 锡球 → 切割
Fan-out WLP的核心工艺
1. 晶圆重构（Reconstruction）
把已知良品die（KGD）重新排布到载体晶圆上，die之间留有间距。两种方案：
- 芯片先贴（Die First）：先贴芯片再做塑封。代表：台积电InFO
- 芯片后贴（Die Last）：先做塑封再贴芯片。代表：日月光FOCoS
2. 塑封（Molding）
用环氧树脂填充die之间的间隙，形成重构晶圆。塑封料的热膨胀系数（CTE）需要与硅匹配，否则翘曲严重。
3. RDL（重布线层）
在重构晶圆上做布线层，把芯片焊盘扇出到更大的区域。RDL线宽/线距通常5/5μm-2/2μm，工艺能力决定I/O密度。
4. 锡球制备
在RDL焊盘上植球，BGA pitch通常0.4-0.5mm。
中科芯火的WLP中试验证
中科芯火中试线支持fan-out WLP工艺开发，包含：
- - 晶圆重构贴片（精度<5μm）
- 塑封工艺（液态塑封料，CTE可调）
- RDL工艺（铜线5/5μm，介质层PI/PPS）
- 锡球植球（0.35mm pitch）
- 可靠性测试（TC500、uHAST96、Drop Test）
案例：某射频芯片公司开发fan-out WLP方案，初期塑封后翘曲导致RDL光刻对准困难。中科芯火通过优化塑封料配方和固化曲线，将翘曲从200μm降到50μm以下。
Fan-out WLP vs 倒装BGA
| 指标 | Fan-out WLP | 倒装BGA |
|------|-------------|---------|
| 封装厚度 | <0.5mm | 0.8-1.2mm |
| I/O密度 | 中 | 高 |
| 成本 | 中低 | 高 |
| 散热 | 一般（无基板） | 好（基板散热） |
| 适用场景 | 手机射频、PMIC | CPU、GPU |
常见问题
Q：Fan-out WLP和2.5D封装什么关系？
A：Fan-out WLP是晶圆级封装技术，2.5D是晶圆级+硅中介层。Fan-out WLP用有机RDL替代硅中介层，成本低但互连密度也低。台积电InFO-OS是介于两者之间的方案。