CP测试（Circuit Probing，晶圆测试）是在晶圆切割前对每颗芯片做电性测试，筛出坏片，选出KGD（Known Good Die）。CP测试直接决定封装良率和成本——一颗坏芯片如果到封装后才被发现，封装成本全部浪费。
CP测试的5个关键步骤
步骤1：测试程序开发
测试工程师根据芯片规格书写测试程序，定义：
- 测试项及顺序（DC测试→功能测试→AC测试）
- 每项测试的Pass/Fail判定条件
- 测试条件（电源电压、时钟频率、温度）
- 测试时间优化（总测试时间控制在1-3秒/颗）
步骤2：探针卡（Probe Card）选型
探针卡是CP测试的核心耗材，决定测试信号质量。
| 探针类型 | 适用频率 | 探针间距 | 成本 | 适用场景 |
|---------|---------|---------|------|---------|
| 悬臂梁探针 | <200MHz | 60-80μm | 低 | 成熟工艺、MCU |
| 垂直探针 | <1GHz | 40-60μm | 中 | 中高端芯片 |
| 膜探针（MEMS） | >1GHz | 30-40μm | 高 | 高速芯片、倒装wafer |
步骤3：探针台（Prober）调试
- 晶圆对准：探针与焊盘对准精度<±5μm
- Z轴压力控制：探针压入焊盘深度5-10μm，太浅接触不良，太深损伤焊盘
- 温度控制：常温测试25±2°C，高温测试可选85°C/125°C
步骤4：测试执行
- 逐die测试：探针卡下针→加电→跑测试程序→记录结果→抬针→移到下一die
- 测试数据记录：每颗die的测试结果存入Wafer Map，用颜色标记Pass/Fail/类别
- 实时监控：关键参数SPC控制，发现异常立即停机排查
步骤5：KGD筛选
根据Wafer Map选出良品die。对于需要进入先进封装（如2.5D/3D）的die，还需要额外的Burn-in测试筛选早期失效品。
中科芯火的CP测试验证
中科芯火中试线配备CP测试设备（探针台+ATE测试机），帮助客户做：
- - 新产品CP测试程序开发与调试
- 探针卡选型与验证
- Wafer级良率分析（结合Wafer Map和失效模式）
- KGD筛选（配合后续封装工艺）
常见问题
Q：CP测试良率多少算正常？
A：取决于工艺节点和芯片复杂度。成熟工艺（28nm+）MCU通常>95%，先进节点（7nm以下）大芯片可能只有60-70%。
Q：CP测试能替代FT测试吗？
A：不能。CP测试覆盖晶圆级缺陷，FT测试覆盖封装工艺引入的缺陷。两者互补，缺一不可。