光刻胶是光刻工艺的"墨水"——它被涂在晶圆上，通过光刻机曝光后形成图形。光刻胶性能直接决定图形精度和良率。不同波长的光源需要不同的光刻胶。
光刻胶分类
按感光波长：
| 类型 | 曝光波长 | 适用节点 | 化学体系 |
|------|---------|---------|---------|
| g-line | 436nm | >0.5μm | DNQ-酚醛树脂 |
| i-line | 365nm | 0.25-0.5μm | DNQ-酚醛树脂 |
| KrF | 248nm | 0.13-0.25μm | 化学放大型 |
| ArF | 193nm | 90nm-7nm | 化学放大型 |
| EUV | 13.5nm | 7nm以下 | 化学放大型（金属氧化物） |
按极性：
- 正性光刻胶：曝光区域溶解（正图形）
- 负性光刻胶：曝光区域交联固化（负图形）
- 先进节点主要用正性光刻胶
光刻胶的核心指标
分辨率（Resolution）：能做出的最小图形尺寸。由光波长、NA和光刻胶性能共同决定。
灵敏度（Sensitivity）：形成图形所需的最小曝光能量。越低越好（产能高），但太低可能导致线宽变化大。
对比度（Contrast）：光刻胶从完全未曝光到完全曝光的转变陡峭度。高对比度→图形侧壁陡直。
刻蚀抗性（Etch Resistance）：光刻胶在刻蚀工艺中抗腐蚀的能力。通常用刻蚀选择比衡量。
存储稳定性：光刻胶在存储期间的性能稳定性。ArF光刻胶对温度和光照敏感，通常2-8°C避光保存，保质期6-12个月。
EUV光刻胶的特殊挑战
EUV光刻胶与传统光刻胶完全不同：
- 1. 光子能量高（92eV vs ArF的6.4eV），每个光子产生的化学反应更强，存在"光子噪声"问题——曝光区域光子数不够多，导致线宽随机波动（LER）
- 吸收深度浅（~100nm），光刻胶膜厚必须很薄（<50nm），否则底层无法充分曝光
- 金属氧化物体系：传统聚合物光刻胶在EUV波段吸收太弱，新型光刻胶用HfO₂、ZrO₂等金属氧化物纳米颗粒，提高吸收效率
国产光刻胶现状
- - KrF光刻胶：北京科华、徐州博康已实现量产，28nm以上节点可用
- ArF光刻胶：上海新阳、南大光电在开发中，部分产品通过客户验证
- EUV光刻胶：仍处于实验室阶段，与国际水平差距较大
光刻胶与封装
封装级光刻精度要求远低于晶圆级（微米级 vs 纳米级），但封装光刻胶有自己的特殊要求：
- - 厚膜：RDL光刻胶膜厚通常5-20μm（晶圆级<100nm），需要专用厚胶
- 高深宽比：TSV光刻需要深宽比10:1以上的光刻胶
- 低成本：封装成本敏感，光刻胶价格不能太高
中科芯火中试线使用封装级光刻胶（干膜和液态胶），满足RDL、TSV、bump制备的工艺需求。